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在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)，首先要考慮保護(hù)操作重型機(jī)械的人員免受電擊，然后再考慮效率、尺寸和成本。 可控硅光耦盡管 IGBT 可以處理驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電壓和電流，可控硅光耦但它們不能提供安全的電擊隔離。 在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務(wù)由驅(qū)動(dòng) IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)器完成。

一般的，光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來(lái)驅(qū)動(dòng)，甚至?xí)黾与娐饭模僬邌纹瑱C(jī)I/O口也不能提供過(guò)大電流，若CTR值過(guò)大,在啟動(dòng)電路或者當(dāng)負(fù)載發(fā)生突變時(shí),有可能系統(tǒng)不穩(wěn)定,影響正常輸出

由于可控硅光耦光耦合器利用光在耦合介質(zhì)中傳輸電信號(hào)，防止其輸入和輸出之間發(fā)生電接觸，

由于信號(hào)是單向傳輸，輸入端和輸出端完全電氣隔離，輸出信號(hào)對(duì)輸入端沒有影響。 因此，光耦抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定、非接觸、使用壽命長(zhǎng)、傳輸效率高，廣泛應(yīng)用于電絕緣、電平轉(zhuǎn)換、信號(hào)傳輸?shù)葓?chǎng)合。

因此它也是一種優(yōu)良的隔離器件，可以承受較大的隔離電壓。 例如，一個(gè)可控硅光耦光耦合器可以用小于10V的低電位信號(hào)來(lái)控制幾千伏的高電位電路。

晶閘管可以是單向或雙向的，可以通過(guò)過(guò)零或移相觸發(fā)。 固態(tài)繼電器也是如此。 因此，它們的用途和形式具有相同類型的產(chǎn)品。 從這個(gè)角度（使用形式和性質(zhì)）來(lái)看，沒有什么區(qū)別，因?yàn)楣虘B(tài)繼電器也是用晶閘管制成的（帶三極管的固態(tài)繼電器除外）。 

電子間的關(guān)聯(lián)通常微弱到難以觀測(cè)，但某些情況會(huì)導(dǎo)致電子出現(xiàn)明顯的異常行為，如超導(dǎo)現(xiàn)象，可控硅光耦這是高容量計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)?？蒲腥藛T此次通過(guò)高靈敏度的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，清晰觀測(cè)到了電子間不尋常的運(yùn)動(dòng)，這對(duì)于研究基于超導(dǎo)體等材料的下一代電子器件是重大突破。