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現(xiàn)代系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求已經(jīng)突破了光電隔離技術(shù)的局限性。 例如，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 在總線(xiàn)電壓和電流較大的高功率系統(tǒng)中至關(guān)重要。 IGBT 需要更快地開(kāi)關(guān)，以減少開(kāi)關(guān)損耗并降低功耗。

由于信號(hào)是單向傳輸，輸入端和輸出端完全電氣隔離，輸出信號(hào)對(duì)輸入端沒(méi)有影響。 因此，光耦抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定、非接觸、使用壽命長(zhǎng)、傳輸效率高，廣泛應(yīng)用于電絕緣、電平轉(zhuǎn)換、信號(hào)傳輸?shù)葓?chǎng)合。

光耦EL3H7

IF不同不同對(duì)應(yīng)的CTR也不同，并且數(shù)據(jù)差異還很大，一般情況下在IF=5ma時(shí)，CTR值都應(yīng)該與原有光耦所用區(qū)域CTR值的大體一致，要不然產(chǎn)品動(dòng)態(tài)性很差，替代時(shí)需要注意選取合適的IF電流，使輸入控制電流的變動(dòng)都能及時(shí)反饋到輸出端，保證產(chǎn)品反饋環(huán)的穩(wěn)定。

當(dāng)輸入信號(hào)Vi經(jīng)晶體管BG1和BG2的前級(jí)放大后，驅(qū)動(dòng)光電耦合器左側(cè)的LED發(fā)光，并全部被右側(cè)光敏管吸收，轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。該信號(hào)由后級(jí)電路BG3放大，管子經(jīng)過(guò)電容C3后，發(fā)射極輸出一個(gè)未失真的放大信號(hào)V0

晶閘管可以是單向或雙向的，可以通過(guò)過(guò)零或移相觸發(fā)。 固態(tài)繼電器也是如此。 因此，它們的用途和形式具有相同類(lèi)型的產(chǎn)品。 從這個(gè)角度（使用形式和性質(zhì)）來(lái)看，沒(méi)有什么區(qū)別，因?yàn)楣虘B(tài)繼電器也是用晶閘管制成的（帶三極管的固態(tài)繼電器除外）。 

那么它們之間的區(qū)別在哪里呢？ 永遠(yuǎn)不會(huì)有一個(gè)東西，兩個(gè)名字，對(duì)吧？ 它們的區(qū)別在于晶閘管是晶閘管，固態(tài)繼電器是晶閘管+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。 這就是區(qū)別。 

電子間的關(guān)聯(lián)通常微弱到難以觀測(cè)，但某些情況會(huì)導(dǎo)致電子出現(xiàn)明顯的異常行為，如超導(dǎo)現(xiàn)象，光耦EL3H7這是高容量計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)?？蒲腥藛T此次通過(guò)高靈敏度的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，清晰觀測(cè)到了電子間不尋常的運(yùn)動(dòng)，這對(duì)于研究基于超導(dǎo)體等材料的下一代電子器件是重大突破。